Продукція > INFINEON > BTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2

BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON

BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+431.71 грн
50+357.35 грн
100+296.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON

Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-1, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BTS282ZE3180AATMA2 за ціною від 296.03 грн до 600.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+446.70 грн
100+424.30 грн
500+401.91 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+600.28 грн
5+477.75 грн
10+431.71 грн
50+357.35 грн
100+296.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 bts282z_ds_13.pdf
BTS282ZE3180AATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
80+446.70 грн
100+424.30 грн
500+401.91 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t
BTS282ZE3180AATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+600.28 грн
5+477.75 грн
10+431.71 грн
50+357.35 грн
100+296.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.