Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2

BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies

bts282z_ds_13.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+252.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BTS282ZE3180AATMA2 за ціною від 297.82 грн до 586.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 Виробник : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 Виробник : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+329.99 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 Виробник : INFINEON INFNS27932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+469.70 грн
50+390.04 грн
100+334.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Operating temperature: -40...175°C
Case: PG-TO263-7-1
On-state resistance: 6.5mΩ
Output voltage: 49V
Output current: 36A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Kind of package: reel; tape
Technology: TEMPFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.43 грн
3+315.21 грн
8+298.58 грн
10+297.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 Виробник : INFINEON INFNS27932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+529.94 грн
5+499.82 грн
10+469.70 грн
50+390.04 грн
100+334.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Operating temperature: -40...175°C
Case: PG-TO263-7-1
On-state resistance: 6.5mΩ
Output voltage: 49V
Output current: 36A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Kind of package: reel; tape
Technology: TEMPFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+586.11 грн
3+392.80 грн
8+358.30 грн
10+357.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 Виробник : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 Виробник : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 Виробник : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 Виробник : Infineon Technologies BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BTS282Z_DS_v01_03_en-1731208.pdf MOSFET N-Ch 49V 36A D2PAK-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.