
BTS282ZE3230AKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 264.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BTS282ZE3230AKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-7, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO220-7-12, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BTS282ZE3230AKSA2 за ціною від 284.80 грн до 679.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BTS282ZE3230AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-7-12 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BTS282ZE3230AKSA2 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BTS282ZE3230AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BTS282ZE3230AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BTS282ZE3230AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
BTS282ZE3230AKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
BTS282ZE3230AKSA2 Код товару: 163635
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
![]() |
BTS282ZE3230AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-7-12 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
BTS282ZE3230AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |