Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BTS282ZE3230AKSA2
BTS282ZE3230AKSA2

BTS282ZE3230AKSA2 Infineon Technologies

bts282z_ds_13.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BTS282ZE3230AKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-7, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO220-7-12, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BTS282ZE3230AKSA2 за ціною від 253.81 грн до 624.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Виробник : Infineon Technologies BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-7
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+275.67 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Виробник : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS27932-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS282ZE3230AKSA2 - BTS282 TEMPFET, AUTOMOTIVE LOW-SIDE TEM
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+344.14 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Виробник : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+368.12 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Виробник : Infineon Technologies bts282z_ds_13.pdf Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+385.35 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BTS282Z_DS_v01_03_en-1731208.pdf MOSFET HITFET
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.23 грн
10+379.87 грн
25+311.93 грн
100+298.69 грн
250+286.92 грн
500+267.79 грн
2500+253.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: tube
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.75 грн
3+333.36 грн
8+314.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: tube
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.91 грн
3+415.41 грн
8+377.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2
Код товару: 163635
Додати до обраних Обраний товар

BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 Виробник : Infineon Technologies BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-7
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-7-12
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.