BU1006-E3/45 Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.16 грн |
| 10+ | 162.65 грн |
| 100+ | 114.26 грн |
| 250+ | 108.69 грн |
| 500+ | 85.00 грн |
| 800+ | 81.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BU1006-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 3.2A BU, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A, Current - Average Rectified (Io): 3.2 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: isoCINK+™ BU, Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-SIP, BU, Packaging: Tube.
Інші пропозиції BU1006-E3/45
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BU1006-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: BRIDGE RECT 1P 600V 3.2A BUCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Average Rectified (Io): 3.2 A Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Part Status: Active Supplier Device Package: isoCINK+™ BU Technology: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-SIP, BU Packaging: Tube |
товару немає в наявності |