
BU1006A-E3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 218.87 грн |
10+ | 181.05 грн |
100+ | 127.27 грн |
250+ | 119.92 грн |
500+ | 104.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BU1006A-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 3A BU, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, BU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: isoCINK+™ BU, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції BU1006A-E3/45
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BU1006A-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
BU1006A-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
BU1006A-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, BU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: isoCINK+™ BU Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |