
BU1210-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3.4A BU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, BU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ BU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 237.37 грн |
20+ | 141.66 грн |
100+ | 114.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BU1210-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 3.4A BU, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, BU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: isoCINK+™ BU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 3.4 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції BU1210-E3/45
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
BU1210-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
BU1210-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |