Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BU323ZG
BU323ZG

BU323ZG ON Semiconductor

bu323z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 350V 10A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+462.85 грн
10+429.41 грн
25+399.01 грн
50+365.36 грн
100+323.61 грн
500+295.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BU323ZG ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 350V 10A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції BU323ZG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BU323ZG BU323ZG onsemi BU323Z-D.PDF Description: TRANS NPN DARL 350V 10A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU323ZG On Semiconductor BU323Z-D.PDF Darlington Transistors 10A 350V Bipolar Power NPN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU323ZG BU323ZG onsemi BU323Z_D-1803136.pdf Darlington Transistors 10A 350V Bipolar Power NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU323ZG BU323ZG ONSEMI 1916279.pdf Description: ONSEMI - BU323ZG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 350 V, 10 A, 150 W, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 500
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: -
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU323ZG BU323Z-D.PDF
BU323ZG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 350V 10A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU323ZG BU323Z-D.PDF
Виробник: On Semiconductor
Darlington Transistors 10A 350V Bipolar Power NPN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU323ZG BU323Z_D-1803136.pdf
BU323ZG
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 10A 350V Bipolar Power NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU323ZG 1916279.pdf
BU323ZG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BU323ZG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 350 V, 10 A, 150 W, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 500
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: -
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.