BU406G ON Semiconductor
на замовлення 5841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 181+ | 71.71 грн |
| 182+ | 71.42 грн |
| 198+ | 65.47 грн |
| 500+ | 50.10 грн |
| 1000+ | 44.98 грн |
| 2000+ | 42.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BU406G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BU406G за ціною від 37.14 грн до 158.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BU406G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB Case: TO220AB Kind of package: tube Frequency: 10MHz Type of transistor: NPN Mounting: THT Collector current: 7A Power dissipation: 60W Collector-emitter voltage: 200V Polarisation: bipolar |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BU406G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 200V 7A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 60 W |
на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BU406G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN |
на замовлення 2226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BU406G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB Case: TO220AB Kind of package: tube Frequency: 10MHz Type of transistor: NPN Mounting: THT Collector current: 7A Power dissipation: 60W Collector-emitter voltage: 200V Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 721 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BU406G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |