
BU406G ON Semiconductor
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 44.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BU406G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BU406G за ціною від 37.95 грн до 156.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BU406G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 5434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BU406G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB Case: TO220AB Kind of package: tube Mounting: THT Frequency: 10MHz Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 7A Type of transistor: NPN Power dissipation: 60W Polarisation: bipolar |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BU406G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BU406G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 60 W |
на замовлення 2241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BU406G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB Case: TO220AB Kind of package: tube Mounting: THT Frequency: 10MHz Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 7A Type of transistor: NPN Power dissipation: 60W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |