Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BU406G
BU406G

BU406G ON Semiconductor

bu406-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BU406G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BU406G за ціною від 41.03 грн до 173.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BU406G BU406G Виробник : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+95.58 грн
250+85.35 грн
500+62.52 грн
1000+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G Виробник : ONSEMI BU406G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Polarisation: bipolar
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.02 грн
10+98.66 грн
50+60.65 грн
100+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G Виробник : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+131.96 грн
164+75.85 грн
182+68.70 грн
500+54.11 грн
1000+46.07 грн
2000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G Виробник : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.90 грн
50+81.56 грн
100+73.87 грн
500+58.18 грн
1000+49.54 грн
2000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G Виробник : onsemi bu406-d.pdf Description: TRANS NPN 200V 7A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.16 грн
50+70.05 грн
100+62.75 грн
500+46.84 грн
1000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G Виробник : ONSEMI BU406G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.62 грн
10+122.94 грн
50+72.78 грн
100+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G Виробник : onsemi BU406-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.12 грн
10+76.69 грн
100+58.92 грн
500+45.10 грн
950+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011215178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+173.31 грн
11+83.34 грн
100+73.59 грн
500+52.24 грн
1000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G Виробник : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G Виробник : ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.