Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BU406G
BU406G

BU406G ON Semiconductor

bu406-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+71.23 грн
50+70.52 грн
100+66.65 грн
500+52.73 грн
1000+47.58 грн
2000+45.21 грн
5000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BU406G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BU406G за ціною від 39.03 грн до 185.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BU406G BU406G ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.58 грн
200+70.86 грн
211+66.97 грн
500+52.98 грн
1000+47.80 грн
2000+45.42 грн
5000+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.06 грн
250+75.17 грн
500+71.14 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G ONSEMI BU406G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Frequency: 10MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 7A
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.25 грн
10+77.03 грн
50+55.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G ONSEMI ONSM-S-A0011215178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.86 грн
12+71.22 грн
100+63.34 грн
500+43.81 грн
1000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G onsemi bu406-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.45 грн
10+82.49 грн
100+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G onsemi bu406-d.pdf Description: TRANS NPN 200V 7A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.92 грн
50+88.65 грн
100+79.81 грн
500+60.37 грн
1000+55.70 грн
2000+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G bu406-d.pdf
BU406G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
198+71.58 грн
200+70.86 грн
211+66.97 грн
500+52.98 грн
1000+47.80 грн
2000+45.42 грн
5000+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G bu406-d.pdf
BU406G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+82.06 грн
250+75.17 грн
500+71.14 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G.PDF
BU406G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Frequency: 10MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 7A
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.25 грн
10+77.03 грн
50+55.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G ONSM-S-A0011215178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BU406G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.86 грн
12+71.22 грн
100+63.34 грн
500+43.81 грн
1000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G bu406-d.pdf
BU406G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.45 грн
10+82.49 грн
100+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G bu406-d.pdf
BU406G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 200V 7A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.92 грн
50+88.65 грн
100+79.81 грн
500+60.37 грн
1000+55.70 грн
2000+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.