BU406G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 71.77 грн |
| 50+ | 71.06 грн |
| 100+ | 67.09 грн |
| 500+ | 64.04 грн |
| 1000+ | 58.56 грн |
| 2000+ | 54.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BU406G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BU406G за ціною від 54.69 грн до 188.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BU406G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BU406G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BU406G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB Case: TO220AB Kind of package: tube Type of transistor: NPN Frequency: 10MHz Collector current: 7A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 200V Power dissipation: 60W Polarisation: bipolar |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BU406G | onsemi |
Description: TRANS NPN 200V 7A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 60 W |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BU406G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN |
на замовлення 5314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BU406G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 60W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BU406G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 197+ | 72.00 грн |
| 199+ | 71.28 грн |
| 211+ | 67.29 грн |
| 500+ | 64.24 грн |
| 1000+ | 58.75 грн |
| 2000+ | 54.69 грн |
| BU406G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 119+ | 120.07 грн |
| 250+ | 108.50 грн |
| 500+ | 101.29 грн |
| 1000+ | 90.59 грн |
| BU406G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Frequency: 10MHz
Collector current: 7A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 200V
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Frequency: 10MHz
Collector current: 7A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 200V
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 127.97 грн |
| 10+ | 74.79 грн |
| BU406G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 200V 7A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 60 W
Description: TRANS NPN 200V 7A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 188.72 грн |
| BU406G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN
Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN
на замовлення 5314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BU406G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







