Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BU406G
BU406G

BU406G ON Semiconductor

bu406-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
198+70.96 грн
201+70.24 грн
212+66.34 грн
500+63.33 грн
1000+57.91 грн
2000+53.92 грн
5000+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BU406G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BU406G за ціною від 54.11 грн до 187.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BU406G BU406G ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.43 грн
50+70.70 грн
100+66.79 грн
500+63.75 грн
1000+58.30 грн
2000+54.29 грн
5000+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G ON Semiconductor bu406-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+81.69 грн
250+74.83 грн
500+70.83 грн
1000+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G ONSEMI BU406G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
Collector current: 7A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 200V
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.83 грн
10+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G onsemi BU406-D.pdf Description: TRANS NPN 200V 7A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.04 грн
50+88.95 грн
100+80.08 грн
500+60.57 грн
1000+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G ONSEMI ONSM-S-A0011215178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G onsemi BU406-D.pdf Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN
на замовлення 5464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G bu406-d.pdf
BU406G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.43 грн
50+70.70 грн
100+66.79 грн
500+63.75 грн
1000+58.30 грн
2000+54.29 грн
5000+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G bu406-d.pdf
BU406G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+81.69 грн
250+74.83 грн
500+70.83 грн
1000+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G.PDF
BU406G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
Collector current: 7A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 200V
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.83 грн
10+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406-D.pdf
BU406G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 200V 7A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.04 грн
50+88.95 грн
100+80.08 грн
500+60.57 грн
1000+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G ONSM-S-A0011215178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BU406G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406-D.pdf
BU406G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN
на замовлення 5464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.