Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BU406G
BU406G

BU406G ON Semiconductor

bu406-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+164.05 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 90 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BU406G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BU406G за ціною від 42.73 грн до 207.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BU406G BU406G ONSEMI BU406G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.58 грн
10+95.09 грн
17+58.58 грн
46+55.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G onsemi BU406-D.pdf Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+195.74 грн
10+99.50 грн
100+69.22 грн
500+60.19 грн
950+56.35 грн
2850+53.19 грн
10450+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G onsemi BU406-D.pdf Description: TRANS NPN 200V 7A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.10 грн
50+98.42 грн
100+88.62 грн
500+67.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G ONSEMI ONSM-S-A0011215178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G.PDF
BU406G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+164.58 грн
10+95.09 грн
17+58.58 грн
46+55.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406-D.pdf
BU406G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 7A 200V 60W NPN
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.74 грн
10+99.50 грн
100+69.22 грн
500+60.19 грн
950+56.35 грн
2850+53.19 грн
10450+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406-D.pdf
BU406G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 200V 7A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.10 грн
50+98.42 грн
100+88.62 грн
500+67.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G ONSM-S-A0011215178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BU406G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.