BUB323ZT4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 90.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUB323ZT4G onsemi
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 10A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUB323ZT4G за ціною від 78.09 грн до 292.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUB323ZT4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 4280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUB323ZT4G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 10A 350V Bipolar Power NPN |
на замовлення 4138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUB323ZT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUB323ZT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |