BUD42DT4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 4A DPAK
Power - Max: 25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
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Технічний опис BUD42DT4G onsemi
Description: ONSEMI - BUD42DT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 4 A, 25 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUD42DT4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BUD42DT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUD42DT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 4 A, 25 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUD42DT4G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUD42DT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 4 A, 25 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BUD42DT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 4 A, 25 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)