BUJ100,126 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUJ100,126 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Description: TRANS NPN 400V 1A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 750mA, 5V, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції BUJ100,126
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUJ100,126 | Виробник : Ween |
 Trans GP BJT NPN 400V 1A 2000mW 3-Pin SPT Ammo |
товару немає в наявності |
|
| BUJ100,126 | Виробник : WeEn Semiconductors |
BUJ100.126 NPN THT transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
BUJ100,126 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: TRANS NPN 400V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 750mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |
|
 |
BUJ100,126 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT |
товару немає в наявності |