BUJ105AB,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Виробник: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Trans GP BJT NPN 400V 8A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUJ105AB,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Description: TRANS NPN 400V 8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 125 W.
Інші пропозиції BUJ105AB,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUJ105AB,118 | WeEn Semiconductors |
Description: TRANS NPN 400V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 125 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5600 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BUJ105AB,118 | WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUJ105AB,118 |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 125 W
Description: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BUJ105AB,118 |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab)
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.