BUJ302AD,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited


2180766095148442buj302ad.pdft636543771031578516.pdft636543771031578516.pdf
Виробник: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUJ302AD,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BUJ302AD,118 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 80 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 66, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 80, Übergangsfrequenz ft: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції BUJ302AD,118 за ціною від 22.11 грн до 62.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited 2180766095148442buj302ad.pdft636543771031578516.pdft636543771031578516.pdf Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited 2180766095148442buj302ad.pdft636543771031578516.pdft636543771031578516.pdf Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 WeEn Semiconductors BUJ302AD.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 25...50
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.64 грн
10+46.04 грн
25+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited 2180766095148442buj302ad.pdft636543771031578516.pdft636543771031578516.pdf Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 2180766095148442buj302ad.pdft636543771031578516.pdft636543771031578516.pdf
Виробник: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 2180766095148442buj302ad.pdft636543771031578516.pdft636543771031578516.pdf
Виробник: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 25...50
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.64 грн
10+46.04 грн
25+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 2180766095148442buj302ad.pdft636543771031578516.pdft636543771031578516.pdf
Виробник: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.