Продукція > WEEN SEMICONDUCTOR(HONG KONG)CO.,LIMITED > BUJ302AD,118
BUJ302AD,118

BUJ302AD,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited

2180766095148442buj302ad.pdft636543771031578516.pdft636543771031578516.pdf Виробник: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUJ302AD,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BUJ302AD,118 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 80 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 66, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 80, Übergangsfrequenz ft: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції BUJ302AD,118 за ціною від 19.05 грн до 97.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 Виробник : WeEn Semiconductors buj302ad.pdf Description: TRANS NPN 400V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited 2180766095148442buj302ad.pdft636543771031578516.pdft636543771031578516.pdf Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited 2180766095148442buj302ad.pdft636543771031578516.pdft636543771031578516.pdf Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 Виробник : WeEn Semiconductors buj302ad.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 25...50
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.82 грн
10+44.69 грн
25+39.29 грн
100+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 Виробник : WeEn Semiconductors buj302ad.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 25...50
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.98 грн
10+55.70 грн
25+47.15 грн
100+37.76 грн
400+29.53 грн
500+28.37 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 Виробник : WeEn Semiconductors buj302ad.pdf Description: TRANS NPN 400V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 10548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.64 грн
10+54.54 грн
100+35.93 грн
500+26.23 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 Виробник : WeEn Semiconductors BUJ302AD.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 400 V 4 A
на замовлення 5405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.59 грн
10+54.95 грн
100+32.30 грн
500+25.95 грн
1000+23.54 грн
2500+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited 2180766095148442buj302ad.pdft636543771031578516.pdft636543771031578516.pdf Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ302AD,118 BUJ302AD,118 Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0001810755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BUJ302AD,118 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 80 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.