BUJ303B,127 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220AB
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-220AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 23 @ 800mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUJ303B,127 NXP USA Inc.
Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220AB, Power - Max: 100 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-220AB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 23 @ 800mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BUJ303B,127
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUJ303B,127 | WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin(3+Tab) |
на замовлення 4061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUJ303B,127 |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin(3+Tab)
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin(3+Tab)
на замовлення 4061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)