Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > BUJ403A/DG,127

BUJ403A/DG,127 NXP Semiconductors

buj403a.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 550V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
910+33.55 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUJ403A/DG,127 NXP Semiconductors

Description: TRANS NPN 550V 6A TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: TO-220AB, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 550 V, Power - Max: 100 W.

Інші пропозиції BUJ403A/DG,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUJ403A/DG,127 BUJ403A/DG,127 Виробник : WeEn Semiconductors buj403a.pdf Description: TRANS NPN 550V 6A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 550 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ403A/DG,127 BUJ403A/DG,127 Виробник : WeEn Semiconductors buj403a-1520510.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.