Продукція > NXP USA INC. > BUJD203A,127
BUJD203A,127

BUJD203A,127 NXP USA Inc.

PHGLS21815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS NPN 425V 4A TO-220AB
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-220AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
908+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 908 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUJD203A,127 NXP USA Inc.

Description: TRANS NPN 425V 4A TO-220AB, Power - Max: 80 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Supplier Device Package: TO-220AB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції BUJD203A,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUJD203A,127 BUJD203A,127 WeEn Semiconductors bujd203a.pdf Description: TRANS NPN 425V 4A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJD203A,127 WeEn Semiconductors BUJD203A-1105136.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 425 V 4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJD203A,127 BUJD203A,127 WeEn Semiconductors BUJD203A.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 425V; 4A; 80W; TO220AB
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Collector current: 4A
Current gain: 11...22
Collector-emitter voltage: 425V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJD203A,127 bujd203a.pdf
BUJD203A,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 425V 4A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJD203A,127 BUJD203A-1105136.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT NPN 425 V 4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJD203A,127 BUJD203A.pdf
BUJD203A,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 425V; 4A; 80W; TO220AB
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Collector current: 4A
Current gain: 11...22
Collector-emitter voltage: 425V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.