BUK4D110-20PX

BUK4D110-20PX Nexperia USA Inc.


BUK4D110-20P.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.13 грн
6000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK4D110-20PX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.5W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BUK4D110-20PX за ціною від 6.11 грн до 36.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK4D110-20PX BUK4D110-20PX Виробник : NEXPERIA 3106904.pdf Description: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.58 грн
500+12.57 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D110-20PX BUK4D110-20PX Виробник : Nexperia BUK4D110-20P-1880091.pdf MOSFETs BUK4D110-20P/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.16 грн
15+23.77 грн
100+12.36 грн
1000+7.80 грн
3000+6.84 грн
9000+6.18 грн
24000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D110-20PX BUK4D110-20PX Виробник : NEXPERIA 3106904.pdf Description: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.89 грн
29+28.97 грн
100+17.58 грн
500+12.57 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D110-20PX BUK4D110-20PX Виробник : NEXPERIA buk4d110-20p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin DFN-MD EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D110-20PX BUK4D110-20PX Виробник : Nexperia buk4d110-20p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.