BUK4D16-20X Nexperia USA Inc.


BUK4D16-20.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK4D16-20X Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK4D16-20X за ціною від 10.85 грн до 77.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK4D16-20X BUK4D16-20X Nexperia buk4d16-20.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1239+28.81 грн
10000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 1239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20X BUK4D16-20X Nexperia BUK4D16-20.pdf MOSFETs BUK4D16-20/SOT1220/SOT1220
на замовлення 86515 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+77.99 грн
10+45.77 грн
100+26.83 грн
500+18.76 грн
1000+15.90 грн
3000+11.07 грн
6000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20X BUK4D16-20X NEXPERIA BUK4D16-20.pdf Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20X BUK4D16-20X NEXPERIA BUK4D16-20.pdf Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20X buk4d16-20.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 8.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1239+28.81 грн
10000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 1239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20X BUK4D16-20.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK4D16-20/SOT1220/SOT1220
на замовлення 86515 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.99 грн
10+45.77 грн
100+26.83 грн
500+18.76 грн
1000+15.90 грн
3000+11.07 грн
6000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20X BUK4D16-20.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20X BUK4D16-20.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.