BUK4D16-20X Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 1239+ | 28.61 грн |
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Технічний опис BUK4D16-20X Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK4D16-20X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BUK4D16-20X | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BUK4D16-20X | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK4D16-20X |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pins
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK4D16-20X |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)