BUK4D16-20X NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.29 грн |
| 500+ | 14.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK4D16-20X NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK4D16-20X за ціною від 10.35 грн до 44.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK4D16-20X | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK4D16-20/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 3257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK4D16-20X | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK4D16-20X | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 8.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BUK4D16-20X | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 8.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BUK4D16-20X | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 8V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |