BUK4D38-20PH NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.03 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 23.88 грн |
| 500+ | 17.35 грн |
| 1000+ | 12.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK4D38-20PH NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK4D38-20PH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.03 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK4D38-20PH за ціною від 9.03 грн до 53.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK4D38-20PH | Виробник : Nexperia |
MOSFET MOSFET BUK4D38-20P/SOT1220 |
на замовлення 7310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK4D38-20PH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK4D38-20PH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.03 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK4D38-20PH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK4D38-20PH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |