BUK4D38-20PX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK4D38-20PX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK4D38-20PX за ціною від 16.07 грн до 95.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK4D38-20PX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1220 P-CH 20V 18A |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BUK4D38-20PX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BUK4D38-20PX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |