Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK4D38-20PX
BUK4D38-20PX

BUK4D38-20PX Nexperia USA Inc.

BUK4D38-20P.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK4D38-20PX Nexperia USA Inc.

Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK4D38-20PX за ціною від 12.19 грн до 56.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK4D38-20PX BUK4D38-20PX Виробник : NEXPERIA BUK4D38-20P.pdf Description: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.68 грн
500+18.64 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PX BUK4D38-20PX Виробник : NEXPERIA BUK4D38-20P.pdf Description: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.31 грн
27+32.43 грн
100+21.68 грн
500+18.64 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PX BUK4D38-20PX Виробник : Nexperia BUK4D38-20P.pdf MOSFETs SOT1220 P-CH 20V 18A
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.52 грн
12+31.17 грн
100+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PX Виробник : NEXPERIA BUK4D38-20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+47.25 грн
13+31.22 грн
100+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PX Виробник : NEXPERIA BUK4D38-20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.70 грн
10+38.90 грн
100+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PX BUK4D38-20PX Виробник : NEXPERIA buk4d38-20p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.