BUK4D60-30X Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.2A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK4D60-30X Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.2A, 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BUK4D60-30X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK4D60-30X | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 8.3 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 7.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 Verlustleistung: 7.5 Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045 Rds(on)-Prüfspannung: 8 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
BUK4D60-30X | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage Verlustleistung: 7.5 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK4D60-30X |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 7.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Verlustleistung: 7.5
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 7.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Verlustleistung: 7.5
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK4D60-30X |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 7.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 7.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)