Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK6607-55C,118 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK, Power Dissipation (Max): 158W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA.
Інші пропозиції BUK6607-55C,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK6607-55C,118 | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 158 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
BUK6607-55C,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 158 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUK6607-55C,118 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK6607-55C,118 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 158
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 158
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)