Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK6610-75C,118
BUK6610-75C,118

BUK6610-75C,118 Nexperia USA Inc.

BUK6610-75C.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA BUK6610 - N-CHANNEL TRE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 7474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
560+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK6610-75C,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA BUK6610 - N-CHANNEL TRE, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 158W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції BUK6610-75C,118 за ціною від 37.15 грн до 37.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK6610-75C,118 BUK6610-75C,118 Nexperia USA Inc. BUK6610-75C.pdf Description: NEXPERIA BUK6610 - N-CHANNEL TRE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118 BUK6610-75C,118 Nexperia BUK6610-75C-1320081.pdf MOSFET N-CHAN 75V 78A
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118 BUK6610-75C.pdf
BUK6610-75C,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA BUK6610 - N-CHANNEL TRE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
560+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118 BUK6610-75C-1320081.pdf
BUK6610-75C,118
Виробник: Nexperia
MOSFET N-CHAN 75V 78A
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.