BUK661R9-40C,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 265.52 грн |
| 10+ | 176.79 грн |
| 100+ | 129.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK661R9-40C,118 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BUK661R9-40C,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK661R9-40C,118 | Nexperia |
MOSFET N-CHAN 40V 120A |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUK661R9-40C,118 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET N-CHAN 40V 120A
MOSFET N-CHAN 40V 120A
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)