| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.75 грн |
| 11+ | 30.08 грн |
| 50+ | 21.96 грн |
| 100+ | 18.14 грн |
| 500+ | 13.76 грн |
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Технічний опис BUK6D120-60PX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.12 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 15W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.
Інші пропозиції BUK6D120-60PX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BUK6D120-60PX | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.12 ohm, SOT-1220, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 15W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 5605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BUK6D120-60PX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.12 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK6D120-60PX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.12 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.12 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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на замовлення 5605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK6D120-60PX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.12 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.12 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)