BUK6D125-60EX

BUK6D125-60EX Nexperia USA Inc.


BUK6D125-60E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK6D125-60EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 15W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BUK6D125-60EX за ціною від 6.26 грн до 35.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK6D125-60EX BUK6D125-60EX Виробник : NEXPERIA 2818235.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+16.47 грн
500+ 12.18 грн
1000+ 8.37 грн
3000+ 7.66 грн
6000+ 6.39 грн
12000+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK6D125-60EX BUK6D125-60EX Виробник : NEXPERIA 2818235.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+31.15 грн
33+ 23.1 грн
100+ 16.47 грн
500+ 12.18 грн
1000+ 8.37 грн
3000+ 7.66 грн
6000+ 6.39 грн
12000+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 24
BUK6D125-60EX BUK6D125-60EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK6D125-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.05 грн
12+ 24.7 грн
100+ 14.82 грн
500+ 12.88 грн
1000+ 8.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D125-60EX BUK6D125-60EX Виробник : Nexperia BUK6D125_60E-1596242.pdf MOSFET BUK6D125-60E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.34 грн
12+ 26.81 грн
100+ 12.95 грн
1000+ 8.83 грн
3000+ 7.51 грн
9000+ 6.84 грн
24000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D125-60EX BUK6D125-60EX Виробник : Nexperia buk6d125-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D125-60EX BUK6D125-60EX Виробник : NEXPERIA buk6d125-60e.pdf 60 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
BUK6D125-60EX Виробник : NEXPERIA BUK6D125-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 30A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 271mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D125-60EX Виробник : NEXPERIA BUK6D125-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 30A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 271mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній