BUK6D125-60EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Технічний опис BUK6D125-60EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 15W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK6D125-60EX за ціною від 9.88 грн до 32.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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BUK6D125-60EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFNCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V |
на замовлення 6871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK6D125-60EX | Nexperia |
MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 7.4A |
на замовлення 5688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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BUK6D125-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 35835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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BUK6D125-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 35835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK6D125-60EX |
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Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V
на замовлення 6871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.62 грн |
| 12+ | 25.13 грн |
| 100+ | 13.10 грн |
| 500+ | 11.47 грн |
| 1000+ | 9.88 грн |
| BUK6D125-60EX |
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Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 7.4A
MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 7.4A
на замовлення 5688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK6D125-60EX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK6D125-60EX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35835 шт:
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