Продукція > NEXPERIA > BUK6D23-40EH
BUK6D23-40EH

BUK6D23-40EH NEXPERIA


2632127.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+22.39 грн
500+16.36 грн
1000+12.21 грн
3000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK6D23-40EH NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BUK6D23-40EH за ціною від 8.88 грн до 50.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK6D23-40EH BUK6D23-40EH Виробник : Nexperia BUK6D23-40E.pdf MOSFETs SOT1220 N CHAN 40V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.54 грн
13+26.67 грн
100+16.15 грн
500+12.62 грн
1000+10.72 грн
3000+9.10 грн
9000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EH BUK6D23-40EH Виробник : NEXPERIA 2632127.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.26 грн
25+32.93 грн
100+22.39 грн
500+16.36 грн
1000+12.21 грн
3000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EH BUK6D23-40EH Виробник : Nexperia USA Inc. BUK6D23-40E.pdf Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.81 грн
11+30.20 грн
100+19.36 грн
500+13.78 грн
1000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EH Виробник : NEXPERIA buk6d23-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EH BUK6D23-40EH Виробник : Nexperia USA Inc. BUK6D23-40E.pdf Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.