BUK6D230-80EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A/5.1A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK6D230-80EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK6D230-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 5.1 A, 0.175 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 15W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BUK6D230-80EX за ціною від 7.70 грн до 39.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK6D230-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK6D230-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK6D230-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D230-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 5.1 A, 0.175 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK6D230-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A/5.1A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK6D230-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1220 N CHAN 80V |
на замовлення 9325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK6D230-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D230-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 5.1 A, 0.175 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK6D230-80EX | Виробник : NEXPERIA |
80 V, N-channel Trench MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BUK6D230-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK6D230-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3.6A; Idm: 20.4A; 15W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 20.4A Power dissipation: 15W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 575mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BUK6D230-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3.6A; Idm: 20.4A; 15W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 20.4A Power dissipation: 15W Case: DFN6; SOT1220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 575mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |