BUK6D38-30EX

BUK6D38-30EX Nexperia USA Inc.


BUK6D38-30E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A/17A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.43 грн
13+24.44 грн
100+16.37 грн
500+12.28 грн
1000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK6D38-30EX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A/17A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK6D38-30EX за ціною від 8.23 грн до 37.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK6D38-30EX BUK6D38-30EX Виробник : Nexperia BUK6D38-30E.pdf MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 5.5A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.41 грн
14+26.54 грн
100+15.46 грн
500+12.41 грн
1000+10.51 грн
3000+9.52 грн
6000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D38-30EX BUK6D38-30EX Виробник : NEXPERIA buk6d38-30e.pdf 30 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D38-30EX BUK6D38-30EX Виробник : Nexperia buk6d38-30e.pdf 30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D38-30EX Виробник : NEXPERIA BUK6D38-30E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 68A; 19W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8nC
Case: DFN6; SOT1220
On-state resistance: 65mΩ
Application: automotive industry
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D38-30EX BUK6D38-30EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK6D38-30E.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A/17A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D38-30EX Виробник : NEXPERIA BUK6D38-30E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 68A; 19W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8nC
Case: DFN6; SOT1220
On-state resistance: 65mΩ
Application: automotive industry
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.