Продукція > NEXPERIA > BUK6D77-60EX
BUK6D77-60EX

BUK6D77-60EX NEXPERIA


buk6d77-60e.pdf Виробник: NEXPERIA
60 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 9000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK6D77-60EX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 18.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18.8W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BUK6D77-60EX за ціною від 6.13 грн до 36.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK6D77-60EX BUK6D77-60EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK6D77-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.15 грн
6000+ 8.44 грн
9000+ 7.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D77-60EX BUK6D77-60EX Виробник : NEXPERIA 2818240.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+16.24 грн
500+ 11.28 грн
1000+ 7.79 грн
3000+ 7.03 грн
6000+ 6.26 грн
12000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK6D77-60EX BUK6D77-60EX Виробник : NEXPERIA 2818240.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+29.28 грн
32+ 23.77 грн
100+ 16.24 грн
500+ 11.28 грн
1000+ 7.79 грн
3000+ 7.03 грн
6000+ 6.26 грн
12000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 26
BUK6D77-60EX BUK6D77-60EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK6D77-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.77 грн
11+ 25.32 грн
100+ 15.19 грн
500+ 13.2 грн
1000+ 8.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D77-60EX BUK6D77-60EX Виробник : Nexperia BUK6D77_60E-1596253.pdf MOSFET BUK6D77-60E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 14432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.73 грн
12+ 27.42 грн
100+ 13.62 грн
1000+ 9.3 грн
3000+ 7.37 грн
9000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D77-60EX BUK6D77-60EX Виробник : Nexperia buk6d77-60e.pdf 60 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D77-60EX Виробник : NEXPERIA BUK6D77-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 42A; 18.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 18.8W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 167mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D77-60EX Виробник : NEXPERIA BUK6D77-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 42A; 18.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 18.8W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 167mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній