BUK6Q26-40PJ Nexperia USA Inc.


BUK6Q26-40P.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.6mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK6Q26-40PJ Nexperia USA Inc.

Description: BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: MLPAK33, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.6mOhm @ 6.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції BUK6Q26-40PJ за ціною від 28.35 грн до 106.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK6Q26-40PJ BUK6Q26-40PJ Nexperia BUK6Q26-40P.pdf MOSFETs BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.13 грн
10+59.42 грн
100+34.29 грн
500+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q26-40PJ BUK6Q26-40PJ Nexperia USA Inc. BUK6Q26-40P.pdf Description: BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.6mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.84 грн
10+65.21 грн
50+48.60 грн
100+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q26-40PJ BUK6Q26-40P.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.13 грн
10+59.42 грн
100+34.29 грн
500+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q26-40PJ BUK6Q26-40P.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.6mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.84 грн
10+65.21 грн
50+48.60 грн
100+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.