BUK6Y33-60PX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 30A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 35.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK6Y33-60PX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK6Y33-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BUK6Y33-60PX за ціною від 29.96 грн до 115.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK6Y33-60PX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6Y33-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK6Y33-60PX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 P-CH 60V 30A |
на замовлення 6848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK6Y33-60PX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 30A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 16563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK6Y33-60PX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6Y33-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK6Y33-60PX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BUK6Y33-60PX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK6Y33-60PX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK6Y33-60PX | Виробник : NEXPERIA |
BUK6Y33-60PX SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |