
BUK7208-40B,118 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK7208-40B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0066 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 37.61 грн |
1000+ | 31.19 грн |
5000+ | 27.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7208-40B,118 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 40V 75A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2493 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7208-40B,118 за ціною від 27.59 грн до 137.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK7208-40B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7208-40B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7208-40B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7208-40B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 185°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7208-40B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7208-40B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK7208-40B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BUK7208-40B,118 Код товару: 169603
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BUK7208-40B,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK7208-40B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BUK7208-40B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 420A; 167W; DPAK Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 420A Drain current: 75A On-state resistance: 15.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
BUK7208-40B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2493 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK7208-40B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2493 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BUK7208-40B,118 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 420A; 167W; DPAK Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 420A Drain current: 75A On-state resistance: 15.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |