BUK7212-55B,118 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 78.07 грн |
| 500+ | 49.28 грн |
| 1000+ | 41.74 грн |
| 5000+ | 40.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7212-55B,118 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 185°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції BUK7212-55B,118 за ціною від 40.89 грн до 179.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7212-55B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7212-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 185°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK7212-55B,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| BUK7212-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 335A Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 59A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
BUK7212-55B,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7212-55B/SOT428/DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BUK7212-55B,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 335A Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 59A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |