BUK7510-100B,127 Nexperia USA Inc.


PHGLS24076-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PFET, 75A I(D), 100V, 0.01OHM, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6773 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
164+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7510-100B,127 Nexperia USA Inc.

Description: PFET, 75A I(D), 100V, 0.01OHM, 1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6773 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK7510-100B,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK7510-100B,127 BUK7510-100B,127 Nexperia BUK7510-100B-1598881.pdf MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7510-100B,127 BUK7510-100B-1598881.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.