BUK752R3-40E,127 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK752R3-40E - 120A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 333+ | 68.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK752R3-40E,127 NXP Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 293W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK752R3-40E,127
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK752R3-40E,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK752R3-40E/SIL3P/STANDARD MA |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
BUK752R3-40E,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товару немає в наявності |
|
| BUK752R3-40E,127 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK752R3-40E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
||
 |
BUK752R3-40E,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 293W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |