BUK752R3-40E,127 Nexperia USA Inc.


BUK752R3-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA BUK752R3-40E - 120A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
151+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK752R3-40E,127 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 293W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції BUK752R3-40E,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK752R3-40E,127 BUK752R3-40E,127 Nexperia BUK752R3-40E.pdf MOSFET BUK752R3-40E/SIL3P/STANDARD MA
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK752R3-40E,127 BUK752R3-40E.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFET BUK752R3-40E/SIL3P/STANDARD MA
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.