BUK752R7-60E,127 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail Automotive AEC-Q101
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 198+ | 157.15 грн |
| 500+ | 141.64 грн |
| 1000+ | 130.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK752R7-60E,127 NXP Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 349W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11.18 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK752R7-60E,127 за ціною від 204.54 грн до 204.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK752R7-60E,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11.18 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
BUK752R7-60E,127 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |