Продукція > NEXPERIA > BUK753R1-40E,127
BUK753R1-40E,127

BUK753R1-40E,127 NEXPERIA

NEXP-S-A0003060003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK753R1-40E,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 234
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK753R1-40E,127 NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 234W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK753R1-40E,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK753R1-40E,127 BUK753R1-40E,127 Nexperia BUK753R1_40E-2937570.pdf MOSFET BUK753R1-40E/SOT78/SIL3P
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK753R1-40E,127 BUK753R1-40E,127 NEXPERIA NEXP-S-A0003060003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK753R1-40E,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Verlustleistung: 234
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK753R1-40E,127 NXP BUK753R1-40E.pdf Description: NXP - BUK753R1-40E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK753R1-40E,127 BUK753R1_40E-2937570.pdf
BUK753R1-40E,127
Виробник: Nexperia
MOSFET BUK753R1-40E/SOT78/SIL3P
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK753R1-40E,127 NEXP-S-A0003060003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK753R1-40E,127
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK753R1-40E,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Verlustleistung: 234
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK753R1-40E,127 BUK753R1-40E.pdf
Виробник: NXP
Description: NXP - BUK753R1-40E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.