BUK7607-55B,118 Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 80.50 грн |
| 8000+ | 77.60 грн |
| 12000+ | 75.62 грн |
| 20000+ | 71.74 грн |
| 24000+ | 64.82 грн |
| 40000+ | 60.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7607-55B,118 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3760 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 203W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BUK7607-55B,118 за ціною від 31.56 грн до 31.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK7607-55B,118 | Nexperia |
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS |
на замовлення 4594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
BUK7607-55B,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7607-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 75 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 203 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 203 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
BUK7607-55B,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7607-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 203 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| BUK7607-55B,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BUK7607-55B,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK7607-55B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7607-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 203
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 203
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: NEXPERIA - BUK7607-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 203
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 203
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK7607-55B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7607-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 203
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: NEXPERIA - BUK7607-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 203
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK7607-55B,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 31.96 грн |
| 2400+ | 31.56 грн |





