Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK762R4-60E,118 NXP USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W, On-state resistance: 5.2mΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 1036A, Power dissipation: 349W, Gate charge: 158nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 120A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Application: automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: D2PAK; SOT404.
Інші пропозиції BUK762R4-60E,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK762R4-60E,118 | Nexperia |
 MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BUK762R4-60E,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 1036A Power dissipation: 349W Gate charge: 158nC Polarisation: unipolar Drain current: 120A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; SOT404 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK762R4-60E,118 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BUK762R4-60E,118 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1036A
Power dissipation: 349W
Gate charge: 158nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1036A
Power dissipation: 349W
Gate charge: 158nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.