BUK762R6-60E,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 113.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK762R6-60E,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK762R6-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1970 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 324W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1970µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK762R6-60E,118 за ціною від 106.92 грн до 234.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK762R6-60E,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK762R6-60E,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK762R6-60E,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK762R6-60E,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK762R6-60E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK762R6-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1970 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 324W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1970µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK762R6-60E,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BUK762R6-60E/SOT404/D2PAK |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK762R6-60E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 324W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10170 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK762R6-60E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BUK762R6-60E,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| BUK762R6-60E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 958A; 324W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 958A Power dissipation: 324W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| BUK762R6-60E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 958A; 324W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 958A Power dissipation: 324W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |