Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK762R9-40E,118 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK762R9-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 100, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 234, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 234, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchMOS, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції BUK762R9-40E,118 за ціною від 53.61 грн до 60.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK762R9-40E,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK762R9-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 234 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 234 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
BUK762R9-40E,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK762R9-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontageVerlustleistung: 234 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BUK762R9-40E,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BUK762R9-40E,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK762R9-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 234
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: NEXPERIA - BUK762R9-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 234
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK762R9-40E,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK762R9-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 234
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: NEXPERIA - BUK762R9-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 234
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK762R9-40E,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 60.30 грн |
| 100+ | 56.95 грн |
| 500+ | 53.61 грн |




