Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK7631-100E,118
BUK7631-100E,118

BUK7631-100E,118 Nexperia USA Inc.

BUK7631-100E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA BUK7631 - TRANSISTOR >3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
381+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7631-100E,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm.

Інші пропозиції BUK7631-100E,118 за ціною від 53.94 грн до 402.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK7631-100E,118 BUK7631-100E,118 Nexperia USA Inc. BUK7631-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7631-100E,118 BUK7631-100E,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+402.70 грн
10+230.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7631-100E,118 BUK7631-100E,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7631-100E,118 BUK7631-100E.pdf
BUK7631-100E,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
381+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7631-100E,118 NEXP-S-A0003059977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7631-100E,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+402.70 грн
10+230.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7631-100E,118 NEXP-S-A0003059977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7631-100E,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.