BUK7631-100E,118 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 464+ | 43.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7631-100E,118 NXP USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0243, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BUK7631-100E,118 за ціною від 40.51 грн до 49.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7631-100E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXPERIA BUK7631 - TRANSISTOR >3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BUK7631-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 96 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUK7631-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7631-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0243 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 96 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0243 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BUK7631-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 34A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
| BUK7631-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 96W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
BUK7631-100E,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 34A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
BUK7631-100E,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET BUK7631-100E/D2PAK/REEL 13" Q1 |
товар відсутній |
|||||||||||
| BUK7631-100E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 96W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |