BUK7635-55A,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 513+ | 41.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7635-55A,118 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7635-55A,118 за ціною від 52.82 грн до 115.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7635-55A,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUK7635-55A,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUK7635-55A,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BUK7635-55A,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
на замовлення 1204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| BUK7635-55A,118 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BUK7635-55A,118 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| BUK7635-55A,118 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
BUK7635-55A,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BUK7635-55A,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BUK7635-55A,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |