Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BUK763R1-40B,118

BUK763R1-40B,118

PHGLS22330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 163138
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BUK763R1-40B,118 за ціною від 100.19 грн до 100.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK763R1-40B,118 BUK763R1-40B,118 Nexperia BUK763R1-40B-1598887.pdf MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
на замовлення 4551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-40B,118 NXP Semiconductors PHGLS22330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA BUK763R1-40B - 75A, 40V
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6808 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+100.19 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-40B,118 BUK763R1-40B-1598887.pdf
BUK763R1-40B,118
Виробник: Nexperia
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
на замовлення 4551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-40B,118 PHGLS22330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA BUK763R1-40B - 75A, 40V
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6808 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
233+100.19 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.