Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK763R1-60E,118
BUK763R1-60E,118

BUK763R1-60E,118 Nexperia USA Inc.

BUK763R1-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+120.85 грн
1600+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK763R1-60E,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK763R1-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2340 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 293W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2340µohm.

Інші пропозиції BUK763R1-60E,118 за ціною від 131.42 грн до 335.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK763R1-60E,118 BUK763R1-60E,118 Nexperia 241387629496463buk763r1-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+131.42 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 BUK763R1-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK763R1-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.60 грн
10+212.14 грн
50+164.54 грн
100+140.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 BUK763R1-60E,118 NEXPERIA NEXP-S-A0001056797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK763R1-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2340 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 293W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2340µohm
на замовлення 14813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 BUK763R1-60E,118 Nexperia BUK763R1-60E.pdf MOSFETs BUK763R1-60E/SOT404/D2PAK
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 BUK763R1-60E,118 NEXPERIA NEXP-S-A0001056797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK763R1-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2340 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 293W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2340µohm
на замовлення 14813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 241387629496463buk763r1-60e.pdf
BUK763R1-60E,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+131.42 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 BUK763R1-60E.pdf
BUK763R1-60E,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+335.60 грн
10+212.14 грн
50+164.54 грн
100+140.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 NEXP-S-A0001056797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK763R1-60E,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK763R1-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2340 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 293W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2340µohm
на замовлення 14813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 BUK763R1-60E.pdf
BUK763R1-60E,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK763R1-60E/SOT404/D2PAK
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 NEXP-S-A0001056797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK763R1-60E,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK763R1-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2340 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 293W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2340µohm
на замовлення 14813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.