Продукція > NEXPERIA > BUK763R6-40C,118
BUK763R6-40C,118

BUK763R6-40C,118 NEXPERIA

NEXP-S-A0003059696-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK763R6-40C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 203
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.28 грн
500+60.85 грн
1000+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK763R6-40C,118 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK763R6-40C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 100, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 203, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 203, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchMOS, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції BUK763R6-40C,118 за ціною від 49.40 грн до 119.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK763R6-40C,118 BUK763R6-40C,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059696-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK763R6-40C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 203
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 203
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.38 грн
10+105.38 грн
100+85.62 грн
500+64.60 грн
1000+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118 BUK763R6-40C,118 Виробник : NEXPERIA 4374433970342060buk763r6-40c.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118 BUK763R6-40C,118 Виробник : Nexperia 4374433970342060buk763r6-40c.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118 BUK763R6-40C,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK763R6-40C.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5708 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118 BUK763R6-40C,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK763R6-40C.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5708 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R6-40C,118 BUK763R6-40C,118 Виробник : Nexperia BUK763R6_40C-2937735.pdf MOSFET BUK763R6-40C/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.