BUK763R8-80E,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 121.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK763R8-80E,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK763R8-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK763R8-80E,118 за ціною від 152.32 грн до 434.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK763R8-80E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK763R8-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUK763R8-80E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BUK763R8-80E,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BUK763R8-80E/SOT404/D2PAK |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUK763R8-80E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK763R8-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BUK763R8-80E,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
BUK763R8-80E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
BUK763R8-80E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 778A; 349W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 169nC On-state resistance: 9.2mΩ Drain current: 120A Power dissipation: 349W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 778A Drain-source voltage: 80V Application: automotive industry Case: D2PAK; SOT404 |
товару немає в наявності |