BUK763R8-80E,118 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R8-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 165.48 грн |
| 500+ | 142.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK763R8-80E,118 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK763R8-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK763R8-80E,118 за ціною від 121.10 грн до 288.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK763R8-80E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK763R8-80E,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V |
на замовлення 5580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK763R8-80E,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BUK763R8-80E/SOT404/D2PAK |
на замовлення 3722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK763R8-80E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK763R8-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK763R8-80E,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BUK763R8-80E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BUK763R8-80E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 778A; 349W Application: automotive industry Power dissipation: 349W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; SOT404 Mounting: SMD Gate charge: 169nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Pulsed drain current: 778A Drain current: 120A On-state resistance: 9.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BUK763R8-80E,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 778A; 349W Application: automotive industry Power dissipation: 349W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; SOT404 Mounting: SMD Gate charge: 169nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Pulsed drain current: 778A Drain current: 120A On-state resistance: 9.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |