Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK764R2-80E,118 NXP USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 713A; 324W, On-state resistance: 10.2mΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 713A, Power dissipation: 324W, Gate charge: 136nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 120A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Application: automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: D2PAK; SOT404.
Інші пропозиції BUK764R2-80E,118 за ціною від 306.74 грн до 306.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK764R2-80E,118 | NXP Semiconductors |
 BUK764R2-80E,118 |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BUK764R2-80E,118 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
BUK764R2-80E,118
BUK764R2-80E,118
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 115+ | 306.74 грн |