Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK764R2-80E,118 NXP USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 713A; 324W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 120A, Power dissipation: 324W, Pulsed drain current: 713A, Application: automotive industry, Case: D2PAK; SOT404, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 136nC, On-state resistance: 10.2mΩ.
Інші пропозиції BUK764R2-80E,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK764R2-80E,118 | Nexperia |
 MOSFETs BUK764R2-80E/SOT404/D2PAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK764R2-80E,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 713A; 324W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 324W Pulsed drain current: 713A Application: automotive industry Case: D2PAK; SOT404 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 136nC On-state resistance: 10.2mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK764R2-80E,118 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK764R2-80E/SOT404/D2PAK
MOSFETs BUK764R2-80E/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BUK764R2-80E,118 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 713A; 324W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 324W
Pulsed drain current: 713A
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 136nC
On-state resistance: 10.2mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 713A; 324W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 324W
Pulsed drain current: 713A
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 136nC
On-state resistance: 10.2mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.