Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK766R0-60E,118
BUK766R0-60E,118

BUK766R0-60E,118 Nexperia USA Inc.

BUK766R0-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+87.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK766R0-60E,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 182W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK766R0-60E,118 за ціною від 55.42 грн до 253.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK766R0-60E,118 BUK766R0-60E,118 Виробник : Nexperia BUK766R0-60E.pdf MOSFETs SOT404 N-CH 60V 75A
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.17 грн
10+127.78 грн
100+81.06 грн
500+76.87 грн
800+55.56 грн
2400+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118 BUK766R0-60E,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK766R0-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.94 грн
10+158.68 грн
50+121.69 грн
100+102.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118 Виробник : NEXPERIA BUK766R0-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 473A; 182W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 13mΩ
Drain current: 75A
Power dissipation: 182W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 473A
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Case: D2PAK; SOT404
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.