
BUK7D25-40EX Nexperia
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9000+ | 9.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7D25-40EX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK7D25-40EX за ціною від 7.91 грн до 36.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK7D25-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK7D25-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK7D25-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 8786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK7D25-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK7D25-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BUK7D25-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BUK7D25-40EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
BUK7D25-40EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 12A; Idm: 76A; 15W Application: automotive industry Power dissipation: 15W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 76A Mounting: SMD Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Drain-source voltage: 40V Drain current: 12A On-state resistance: 46mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
BUK7D25-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
BUK7D25-40EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 12A; Idm: 76A; 15W Application: automotive industry Power dissipation: 15W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 76A Mounting: SMD Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Drain-source voltage: 40V Drain current: 12A On-state resistance: 46mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |